酸鹼度對照之感測器，其製造方法，以及其應用

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

095100302

專利證號

I302197

專利獲證名稱

酸鹼度對照之感測器，其製造方法，以及其應用

專利所屬機關 (申請機關)

國立雲林科技大學

獲證日期

2008/10/21

技術說明

一種酸鹼度對照之感測器，其製造方法，以及其應用。上述酸鹼度對照之感測器係一延伸式閘 極場效電晶體結構，包括：一金氧半場效電晶體，位於一半導體基底上；一感測元件，其包括 一基板，一固態導電離子感測薄膜位於該基板上，以及一聚口比咯薄膜固定於該固態導電離子 感測 薄膜上；以及一導線，連接該金氧半場效電晶體與該感測元件 A reference pH sensor, the preparation and application thereof. The reference pH sensor is an extended gate field effect transistor (EGFET) structure and comprises a metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) on a semiconductor substrate, a sensing unit comprising a substrate, a conductive sensing layer on the substrate, and a polyrrole layer on the conductive sensing layer, and a metal wire connecting the MOSFET and the sensing unit.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財管理組

連絡電話

(05)5342601轉2521

網址