STORAGE MEMORY DEVICE

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

16/676,669

專利證號

US 10,872,966 B1

專利獲證名稱

STORAGE MEMORY DEVICE

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣師範大學

獲證日期

2020/12/22

技術說明

本發明提供一種具垂直型場效電晶體的混合式儲存記憶體，利用於垂直型場效電晶體形成由負電容鐵電層及反鐵電層堆疊而得的儲存層疊結構，而得以有效改善記憶體的漏電流、寫入/抹除操作電壓，以及提升記憶體元件操作速度。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作組

連絡電話

77341329

網址