氧化釕混成電極及其製備方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

日本

專利申請案號

特願 2007-212944

專利證號

特許 4406021

專利獲證名稱

氧化釕混成電極及其製備方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣科技大學

獲證日期

2009/11/13

技術說明

本發明提出一種混成電極及其製備方法，該混成電極包含：一基板，一電子導體之一維奈米結構，以及一水合氧化釕；其中該水合氧化釕填充於該電子導體之一維奈米空間，該電子導體係為無水氧化釕或氧化銥。此外，該混成電極更可包含一金屬層，係由部份該一維奈米結構還原而成。根據本發明之混成電極於有限之空間下，可同時具有高功率及高電容之特性。【創作特點】 本發明之主要目的在於提供一種混成結構電極，係利用高導電之一維奈米結構結合一散佈於該一維奈米結構孔隙內之水合氧化釕所形成之混成電極，以達到高電容量及高功率之特性。 為達成前述之目的，本發明提出一種混成電極，其包含：一無水氧化釕的一維奈米結構，係成長於一基板上，用以作為電子通道；以及一水合氧化釕，係沉積於該無水氧化釕一維奈米結構之孔洞間隙，用以作為質子通道及電荷儲存物質。 根據本發明之一特徵，其中該混成電極可進一步包含一金屬釕層，係形成於該無水氧化釕的一維奈米結構表面；其中該金屬釕層係由該無水氧化釕一維奈米結構部份還原而成。 根據本發明之另一特徵，其中該無水氧化釕一維奈米結構係利用化學氣相沈積或反應式濺鍍法成長於該基板上；該無水氧化釕係利用電化學方法沈積於該無水氧化釕一維奈米結構之孔洞間隙。 根據本發明之又一特徵，其中該混成電極之無水氧化釕一維奈米結構可由一無水氧化銥一維奈米結構所取代；且該混成電極可進一步包含一金屬銥層，係由該無水氧化銥一維奈米結構部份還原而成。 本發明之另一目的在於提供一種混成電極之製備方法，其可用以大量製備一具有高電容量及高功率之電化學微電容用之混成電極。 為達前述之另一目的，本發明提出一種混成電極之製備方法，其包含下列步驟：提供一基板；成長一無水氧化釕一維奈米結構於該基板上；以及沈積一水合氧化釕於該無水氧化釕一維奈米結構之孔洞間隙。 根據本發明之一特徵，其中沈積該水合氧化釕於該無水氧化釕一維奈米結構之孔洞間隙前，進一步包含：還原部份無水氧化釕一維奈米結構為金屬釕之步驟。 根據本發明之另一特徵，其中該無水氧化釕一維奈米結構可由一無水氧化銥一維奈米結構所取代；此外，於沈積該水合氧化釕於該無水氧化銥一維奈米結構間隙之前，可進一步包含：還原部份無水氧化銥一維奈米結構為金屬銥之步驟。 為讓本發明之上述何其他目的、特徵、和優點能更明顯易懂，下文特舉數個較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。 The present invention discloses a hybrid electrode and the method of preparing thereof. The hybrid electrode comprises a substrate, an array of electron－conducting nanostructure of one dimensional feature, and a hydrous RuO2, wherein the hydrous RuO2 which is interspersed in the array of electron conducting nanostructure. The hybrid electrode may further comprise a metal layer which is reduced from part of electron conducting nanostructure. According to the present invention, the so－prepared hybrid electrode can exploit a limited space and exhibit characteristics of high power and high charge capacity both.

備註

本部(收文號1060004807)同意該校106年1月16日臺科大研字第1060100346號函申請終止維護專利

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