具備有機多介電層之記憶體元件MEMORY DEVICE WITH ORGANIC THIN-FILM TRANSISTOR (OTFT) STRUCTURE

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

098130835

專利證號

I 384616

專利獲證名稱

具備有機多介電層之記憶體元件MEMORY DEVICE WITH ORGANIC THIN-FILM TRANSISTOR (OTFT) STRUCTURE

專利所屬機關 (申請機關)

國立成功大學

獲證日期

2013/02/01

技術說明

本新型結構使用雙層或多層不同有機材料構成多介電層結構，並將此結構用於有機薄膜電晶體式記憶體元件，元件在閘極偏壓下，通道層/最外層有機介電層之介面可有效捕捉並累積電荷載子，因此即使移除閘極偏壓，累積於介電層與通道層界面之間的電荷載子並不消退，仍能維持通道打開而造成通道電流，就是所謂的記憶效應。而為了降低漏電流或者提升汲極電流，可於多介電層結構中插入漏電流阻擋層或高介電常數層。藉由多介電層結構所產生的記憶效應，可對元件做多次讀寫動作，並且記憶保留時間可長達數天。 Here we invented the novel memory transistors with multiple dielectric layers. The interface between the channel semiconductor layer and the hydroxyl (-OH) polymers tends to trap and accumulate electrons, and alter the charge distribution in the transistor, as the gate is appropriately biased. In this situation, the device is called in its “on” state. Even though the gate bias is removed, the trapped electrons are still present, which enables the drain current. Once the gate is inversely biased, the trapped electrons will be detrapped and depleted away, and the device is in its “off” state.

備註

本部(收文號1060000114)同意該校105年12月30日成大研總字第1054501055號函申請終止維護專利

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