非揮發性記憶體元件及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

098145733

專利證號

I 408801

專利獲證名稱

非揮發性記憶體元件及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣大學

獲證日期

2013/09/11

技術說明

一種非揮發性記憶體元件及其製造方法，係於一半導體基板上形成具有氮化矽穿隧層 及鍺奈米粒子浮動閘極之非揮發性記憶體結構，該氮化矽穿隧層係利用氣相沉積製程沉積並經過高溫爐處理而形成於該半導體基板上，由於該氮化矽穿隧層相較於二氧化矽材料具有較高的缺陷密度，使得載子易於在其間傳輸，藉此提高電子導入該鍺奈米粒子的效率以達到增進電荷寫入和抹除速度的效果；該鍺奈米粒子浮動閘極係利用準分子雷射對非晶鍺材料層進行退火而於該穿隧層上所形成之鍺奈米粒子，能夠增進該非揮發性記憶體元件之電荷儲存效果。 Non-volatile memory element and method for manufacturing the same, Based on that the Silicon Nitride tunneling layer grew on the Silicon substrate and floating gate composed of Germaniun Nano-crystal. The silicon Nitride tunneling layeris formed by the CVD and high temperature annealing process on the silicon substrate.The Silicon Nitride tunneling layer has the higher trap density more than the Silicon oxide.The high density trap make the carrier transport less obstacle. Due to this advantage,the Non-volatile memory can be written and erased much faster by electron forced into the Germaniun Nano-crystal with less barrier.The floating gate composed of Germaniun Nano-crystal is manufactured by the excimer laser annealing the thin film amorphous Germaniun in the Silicon Nitride tunneling layer. This technique can emchance the charge storage capability.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作總中心

連絡電話

33669945

網址