內連線之奈米碳管的製程方法METHOD FOR FABRICATING INTERCONNECTIONS WITH CARBON NANOTUBES

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

13/094,388

專利證號

US 8,461,037 B2

專利獲證名稱

內連線之奈米碳管的製程方法METHOD FOR FABRICATING INTERCONNECTIONS WITH CARBON NANOTUBES

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2013/06/11

技術說明

一種內連線之奈米碳管的製程方法，其係用以解決半導體領域中金屬線連接之間的電子遷移抵制力及阻容遲滯效應的問題。本發明之製程方法主要是先將一包含一催化層及一上包覆層的觸媒層設置於一基底通口周緣，再使奈米碳管成長於該催化層上，而上包覆層則覆蓋於奈米碳管上。本發明之優點在於透過此觸媒層，可使奈米碳管成長於該催化層及該上包覆層之間。且因該上包覆層之保護，可避免該催化層氧化，而有利奈米碳管成長。另一方面，奈米碳管可透過該催化層及該上包覆層，分別和下層基底及上層導線相通，具有相對較低接觸阻值之特性。並藉由該觸媒層可作為金屬的阻障層，避免金屬藉由擴散或其他方式而散佈到其他材料內。 A method for fabricating interconnections with carbon nanotubes of the present invention comprises steps of: forming a catalyst layer that contains a catalytic layer and an upper covering layer on the periphery of a hole connecting with a substrate; and growing carbon nanotubes on the catalytic layer with the upper covering layer covering the carbon nanotubes. The present invention grows the carbon nanotubes between the catalytic layer and the upper covering layer. The upper covering layer protects the catalytic layer from being oxidized and thus favors growth of the carbon nanotubes. Further, the carbon nanotubes are respectively connected with the lower substrate and an upper conductive wire via the catalytic layer and the upper covering layer, whereby is achieved lower contact resistance. Moreover, the catalyst layer also functions as a metal-diffusion barrier layer to prevent metal from spreading to other materials via diffusion or other approaches.

備註

本部(第1080029889號)同意該校108年05月14日清智財字第1089003165號函報專利終止維護案。

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

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