半導體裝置及半導體結構的形成方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

109136107

專利證號

I 755102

專利獲證名稱

半導體裝置及半導體結構的形成方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中央大學

獲證日期

2022/02/11

技術說明

在本新電晶體設計中，結構上與傳統P-GaN HEMT相比，於閘極金屬下方多加入一PN-diode，閘極施加正偏壓時，下方NP-GaN diode為逆偏並產生空乏區，會有電壓跨在空乏區上，藉此使元件閥值電壓能夠上升，再藉由AlGaN barrier的最佳化，來調整閥值電壓大小，相比傳統P-GaN HEMT，二維電子氣濃度較高，所以有更小的Ron。結論上，新電晶體結構提供較高的輸入電壓範圍，較低的導通電阻(導通耗損)。 A new transistor structure, compared with the traditional P-type GaN gate high electron mobility transistor (HEMT), an additional PN diode is added under the gate metal to increase the threshold voltage of the transistor, and then adjust AlGaN barrier to manipulate the threshold voltage. With the design of this new transistor, the photomask can be used to fabricate D-mode HEMTs, P-GaN E-mode HEMTs, PN junction (PNJ) HEMTs, and PNPN thyristors without additional cost.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智權技轉組

連絡電話

03-4227151轉27076

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