發明
中華民國
093128134
I 240424
致電吸光調制器
國立中央大學
2005/09/21
本發明係一種致電吸光調制器,係利用一磊晶層結構為p-i(MQW)-n+-i(collector)-n之p-i-n- i-n磊晶層成長在一半導體基板上形成致電吸光調制器,可改善驅動電壓和速度之間的trade- off(抵觸)及增加了光在排摻雜區之侷限係數(confinement factor),並降低了光在摻雜區因 自由載波吸收(free-carrier-absorption)所造成的介入損耗。
本部(收文號1050047992)同意該校105年7月7日中大研字第1051430192號函申請終止維護專利97件(中央)
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