製備氮化鋁鈦膜之方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

098113950

專利證號

I 379913

專利獲證名稱

製備氮化鋁鈦膜之方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中興大學

獲證日期

2012/12/21

技術說明

本發明是以物理氣相沈積法，製備多元金屬氮化物薄膜(TiAlN，三元金屬以上)，使用TiAl合金靶材，利用改變反應氣體以空氣(air)取代純氮氣(N2)，在電漿環境下，通入air/Ar =17.5/100 ~25/100比值，製備出三元金屬氮化物TiAlN薄膜，本發明能有效降低設備與製程成本，將使其多元金屬氮化物薄膜應用更為廣泛。在電漿環境下，背景壓力只需抽1~3分鐘，即可進行製備，與傳統方法相比節省85%的時間。而使用空氣(air)作為反應性氣體，以通入適當的空氣流量以及製程條件，所鍍著之薄膜，經X光繞射儀與特性檢定，確定能成功製備出TiAlN薄膜。TiAlN其特性為，具有高硬度，抗磨耗性、低熱傳導特性等。可應用於切割刀具、鑽孔工具及模具之保護膜，以及銅矽間擴散阻障層，作為鑄鐵及鋼材的高速連續切削時。 This invention is to prepare multinary metal nitride films by physical vapor deposition. using the Ti-Al alloy target, Replacing pure N2 with air, which could prepared TiAlN films in various air/Ar= 17.5/100~25/100.This new process could save not only materials’ and equipments’ cost but exhibits more applications compared to conventional process. Under plasma environment, it takes 1-3 min to achieve a rather high base pressure and then the deposition of the binary metal nitride film could proceed. Using air as a reactive gas and suitable air flow could result in the TiAlN films which were characterized by X-ray diffraction and properties evaluations.

備註

本部(收文號1060063873)同意該校106年8月10日興產字1064300420號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

技術授權中心

連絡電話

04-22851811

網址