製造奈米結構材料的方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

097101114

專利證號

I 433810

專利獲證名稱

製造奈米結構材料的方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2014/04/11

技術說明

利用原子層化學氣相沉積與氧化鋁模板技術直接在低溫基材上沉積出良好品質的各種奈米材料陣列 (for example: CNTs, ZnO, TiO2)。一種製造奈米結構材料的方法，應用於形成一維奈米材料。上述方法包括下列步驟：形成一金屬層於一基底上並對金屬層進行陽極化處理步驟以形成一具有複數個奈米孔洞的金屬化物模板，之後再沉積一源材料於奈米孔洞中及金屬化物模板上。最後依序移除金屬化物模板上之源材料及金屬化物模板以形成複數個一維奈米材料。上述步驟中利用了陽極氧化鋁作為模板與原子層化學氣相沉積法沉積源材料，可縮短製造時間並控制材料的品質。 A method of forming nano-scale material is applied to the formation of 1-dimensional(1-D) nanostructures (nanorod, nanotube, core-shell) arrays. The method includes the steps as follow. Forming a metallic layer on a base and treating the metallic layer with anodic treatment are configured for forming a metallic-compound template with nano holes. A source material is then deposited in the nano holes and on the metallic-compound template. Finally, the source material on the metallic layer and the metallic-compound template are sequentially removed and a plurality of 1-D nanostructures (nanorod, nanotube, core-shell) arrays are remained on the base. The anodic aluminum oxide as a template and atomic layer deposition are utilized to reduce time cost and control the qualities of 1-D nanostructures (nanorod, nanotube, core-shell).

備註

本部(收文號1100065219)同意該校110年10月27日陽明交大研產學字第1100036963號函申請終止維護專利(陽明交大)

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