Method of fabricating high-power module

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

16/207,343

專利證號

US 11,426,793 B2

專利獲證名稱

Method of fabricating high-power module

專利所屬機關 (申請機關)

國立成功大學

獲證日期

2022/08/30

技術說明

近年環保意識抬頭，無鉛電子封裝材料將為未來環保趨勢，故目前商用的矽基高功率模組的熱介面材料(thermal interface materials)主要以錫銀銅合金為封裝材料。然而，次世代高功率模組將以碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)為主要材料，且工作溫度高於(>150 ºC)目前以矽為主要材料的高功率模組。在此高溫下，錫銀銅合金容易形成易脆裂之介金屬化合物。而高功率模組在長時間的熱循環下所累積的剪應力將會導致此介金屬化合物的破裂，進而使得模組因散熱不良而失效。為因應次世代高功率模組的高工作溫度，新型態的熱介面材料為新世代高功率模組的關鍵材料之一。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

企業關係與技轉中心

連絡電話

06-2360524

網址