氮化物多孔單晶膜的製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

110133592

專利證號

I 792547

專利獲證名稱

氮化物多孔單晶膜的製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2023/02/11

技術說明

一種氮化物多孔單晶膜的製造方法，用以解決習知多孔性氮化物半導體薄膜的製程步驟繁複及難以製作出單晶結構的問題。係包含：提供一單晶氧化鋅基板，透過氮／Ⅲ族元素的流量比值小於40的一混合流體，以分子束磊晶方式在該單晶氧化鋅基板上形成一緩衝層；及於該緩衝層上形成氮化物的一單晶膜。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

連絡電話

(07)525-2000#2651

網址