氣體感測器的製作方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

105124540

專利證號

I 607214

專利獲證名稱

氣體感測器的製作方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2017/12/01

技術說明

一種氣體感測器的製作方法 ，包含一準備步驟、一感測單元形成步驟，及一金屬層形成步驟 。該準備步驟是準備一導電基板。該感測單元形成步驟是在該導電基板上形成一感測單元。該金屬層形成步驟是以蒸鍍法在該感測單元上形成一層連續且厚度足以自行產生多個感測孔洞的金屬層 ，而讓該感測單元的表面自該等感測孔洞露出。 The fabrication process of prepared gas sensor as follows, first the device were fabricated on conductive substrate. Secondly, we deposited the sensing film on it. Finally, the metal film was deposited on sensing layer by thermal evaporator. As deposited metal film as a continuously porous structure. We observed the sensing properties significantly based on porous structure.

備註

本會(收文號1120019924)同意該校112年4月7日陽明交大研產學字第1120010771號函申請終止維護專利(國立陽明交通大學)

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