高均勻度陣列二極體紫外光源裝置 | 專利查詢

高均勻度陣列二極體紫外光源裝置


專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

108138287

專利證號

I 722615

專利獲證名稱

高均勻度陣列二極體紫外光源裝置

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2021/03/21

技術說明

一種高均勻度陣列二極體紫外光源裝置,係利用一組準直照明鏡組,使UVLED陣列光源經過鏡組,可使得光源分佈能夠均勻,並且具有準直光線。因為本裝置僅包括:UVLED陣列光源、準直照明鏡組及基板平台等三個單元,機構簡單;並能應用在半導體光刻製程中的接觸式之小於或等於3微米線寬、軟接觸式之3至30微米線寬、以及短間距式之30至200微米線寬之光刻製程。可以避免光罩因 為多次使用的接觸磨損而減少其替換率。 

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

國研院技術移轉中心

連絡電話

02-66300686


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