紫外光感測元件及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

106108088

專利證號

I 605609

專利獲證名稱

紫外光感測元件及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣科技大學

獲證日期

2017/11/11

技術說明

本發明利用真空磁控濺鍍技術於基板表面個別濺鍍一層厚度3 nm之由Cu-Zr-Al-Ti合金組成之銅基金屬玻璃薄膜，之後沉積半導體金屬氧化物種子層，接著製作指叉式白金電極，最後成長半導體金屬氧化物奈米結構(氧化鋅奈米柱及奈米管)形成金屬-半導體-金屬型紫外光感測元件(量測條件為UV light：365 nm, 1 mW cm-2 , 5V)。氧化鋅奈米管較氧化鋅奈米柱擁有較大的比表面積與空乏區，進而使紫外光感測器之訊雜比提升，其訊雜比(光電流/暗電流)從252.8提升至2.03 × 103；若將金屬玻璃薄膜置於氧化鋅奈米結構底層，可以使其界面產生蕭特基能障接面，進而降低漏電流，因而有效地提升訊雜比，氧化鋅奈米柱/銅基金屬玻璃薄膜之訊雜比為9.16 × 103，氧化鋅奈米管/銅基金屬玻璃薄膜之訊雜比為1.99 × 104。最後藉由退火改變銅基金屬玻璃薄膜的特性之後成長氧化鋅奈米結構，與氧化鋅奈米柱相比，可以提升近800倍之訊雜比，氧化鋅奈米柱/退火150°C銅基金屬玻璃薄膜之訊雜比為2.45 × 104，氧化鋅奈米管/退火150°C銅基金屬玻璃薄膜之訊雜比為2 × 105。 A primary object of this disclosure is to provide an ultraviolet sensor which comprises a thin film metallic glass and a method of manufacturing the same to decrease or inhibit dark current and increase signal-to-noise ratio effectively.To achieve the aforesaid and other objects, the ultraviolet sensor of this disclosure comprises a glass substrate, a semiconductor structure, an electrode layer and a thin film metallic glass. The semiconductor structure comprises a semiconductor seed layer formed on the glass substrate and a plurality of semiconductor nanostructures formed on the semiconductor seed layer. The electrode layer is formed between the semiconductor seed layer and the plurality of semiconductor nanostructures. The thin film metallic glass is in contact with the semiconductor structure, wherein an interface between the thin film metallic glass and the semiconductor structure forms a Schottky barrier junction to inhibit dark current and increase signal-to-noise ratio.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

技術移轉中心

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