金屬凸塊之形成方法METHOD OF FORMING A METAL BUMP

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

14/461,703

專利證號

US 9,129,957 B1

專利獲證名稱

金屬凸塊之形成方法METHOD OF FORMING A METAL BUMP

專利所屬機關 (申請機關)

中原大學

獲證日期

2015/09/08

技術說明

封裝技術有金屬凸塊的處理，用於連接IC晶片的最終的金屬墊。為了提高連接的密度，平版印刷技術通常被用於形成金屬焊盤。電鍍的金屬凸塊之後，它通常要求施加於金屬片的附加退火處理，以進一步改善的特性和金屬墊的硬度。但是，由於金屬襯墊，金屬凸塊和金屬凸塊與金屬焊盤之間的保護層的熱膨脹係數不同，可能存在的保護層，並且在退火過程中產生的金屬凸塊之間的裂縫。為了解決此缺點，本發明提出一種方法，用於形成金屬凸塊，並且更具體地涉及一種方法，用於形成金屬凸塊與通過使用光刻工藝狹縫的金屬凸塊，以形成光致抗蝕劑層具有一金屬凸塊保留槽和保留的部分為金屬凸點縫隙。 The present invention relates to a method for forming a metal bump, and more particularly relates to a method for forming the metal bump with a metal bump slit by using a lithographic process to form a photo-resist layer having a metal bump reserved groove and a reserved portion for the metal bump slit.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作暨專利技轉中心

連絡電話

(03)2651830

網址