提升高電子遷移率電晶體元件崩潰電壓的方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

099136116

專利證號

I 523148

專利獲證名稱

提升高電子遷移率電晶體元件崩潰電壓的方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2016/02/21

技術說明

本案提出以串接氮化鎵高載子遷移率電晶體的方式，製作具超高崩潰電壓之氮化鎵電晶體元件，可應用於高功率電路系統與日益受到重視之電動車用電子系統中。可提升現有氮化鎵電晶體之崩潰電壓，藉以改善此類元件操作在高功率系統之高溫及高電壓環境下之可靠度。在此透過將多級電晶體整合為單一元件的方式，可以隨著不同電路設計應用考量，透過製程設計，串接多級電晶體，使崩潰電壓調整至所需要之位準。此具高崩潰電壓之氮化鎵高載子遷移率電晶體，將有助於提升功率電路操作於高溫、高壓下之可靠度。一種串接式之高電子遷移率電晶體元件的製造方法。 A fabrication method of series-connected HEMT device is presented. Transistors are formed on a substrate and integratedly serial-connected as an HEMT device by interconnection. Therefore, the voltage of the series-connected HEMT device is the sum of the voltages across each transistors and the series-connected HEMT device can have high breakdown voltage.

備註

本部(收文號1100007424)同意該校110年1月29日交大研產學字第1100002855號函申請同意專利權讓與

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