多位元唯讀記憶體的操作方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

110115227

專利證號

I 747783

專利獲證名稱

多位元唯讀記憶體的操作方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立陽明交通大學

獲證日期

2021/11/21

技術說明

【中文】  一種多位元唯讀記憶體的操作方法，該多位元唯讀記憶體包含有一基板， 其上設有一電晶體結構，該電晶體結構包含一導電閘極以及位於該導電閘極相 異二側的第一端電極和第二端電極。本發明係通過在該第一端電極或第二端電 極提供掃動電壓、固定電壓或脈衝電壓等方式使其閘極氧化層崩潰擊穿，以令 該電晶體結構可具有多位元的編程狀態。通過本發明所揭露之操作方法，係可 解決現有技術只能達成單一位元（零或一）的缺陷，並可成功應用於五奈米以 下的閘極全環場效電晶體和矽-氧化物-氮化物-氧化物-矽存儲器技術領域中。 【英文】 An operation method of a multi-bits read only memory, which includes a substrate and a transistor structure disposed thereon, is provided. The transistor structure includes a conductive gate, and a first terminal electrode and a second terminal electrode are respectively disposed on opposite sides of the conductive gate. Providing fixed voltages, pulse voltages or sweeping voltages at the first or second terminal electrode such that a corresponding gate oxide reaches punch-through achieves to program the transistor structure into multi-bits states. By employing the proposed method of the present invention, it solves conventional issues of a traditional read only memory which can only be programmed into single-bit states (“0” or “1”), and thus can be successfully applied to 5 nm and under 5 nm GAAFET and SONOS devices.

備註

經研發成果評量會議，決議通過申請『中華民國』專利。 本會(收文號1120021580)同意該校112年4月14日陽明交大研產學字第1120006769號函申請專利讓與(國立陽明交通大學)

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