近紅外波段飛秒雷射在非晶矽退火的應用方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

093138359

專利證號

I245321

專利獲證名稱

近紅外波段飛秒雷射在非晶矽退火的應用方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2005/12/11

技術說明

本發明提供一種近紅外段飛秒雷射在非晶矽退火的應用方法，其係利用紅外波段的超外鈦藍寶石雷射(Ultrafast Ti:Sapphire Laser)進行非晶矽的飛秒雷射退火(Femtosecond Laser Annealing, FLA)，樣品表面被超短脈衝照射的 時候，超高的瞬時功率使得樣品表面發生對光子能量的非線性吸收並產生高密度的電漿，使得非晶矽達到融熔狀態。

備註

本部(收文號1070025932)同意該院107年4月17日國研授米企院字第1070500524號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智慧財產權中心

連絡電話

03-5738251

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