具優質本體縛點之矽覆絕緣金屬氧化半導體裝置及其製作方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

094110890

專利證號

I255552

專利獲證名稱

具優質本體縛點之矽覆絕緣金屬氧化半導體裝置及其製作方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2006/05/21

技術說明

含優質本體縛點之矽覆絕緣金屬氧化半導體裝置及其製作方法

備註

本案業經本校技術審查委員會同意中華民國專利領證及1~3年年費繳納

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

連絡電話

(07)525-2000#2651

網址