銅電鍍液組成物COMPOSITION OF COPPER ELECTROPLATING SOLUTION

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

099129544

專利證號

I 414643

專利獲證名稱

銅電鍍液組成物COMPOSITION OF COPPER ELECTROPLATING SOLUTION

專利所屬機關 (申請機關)

國立中興大學

獲證日期

2013/11/11

技術說明

隨著半導體元件尺寸的縮減，銅金屬連線的普及率也逐漸增加，目前銅製程大部份採用電鍍法來進行。於盲孔或通孔中沉積銅時，必須要控制銅離子在盲孔底部的析出速率要大於盲孔外表面上的沉積速率，或者必須要控制銅離子在通孔中央的沉積速率要大於通孔外表面上的沉積速率，否則會因孔口電流密度較高，導致電鍍完畢後，在填充的孔洞中央形成一條縫隙（seam）或是一個空洞（void）。而空洞與縫隙會影響訊號傳遞速率與降低晶片之信賴度。 因此，本發明是在提供一種銅電鍍液組成，可適用於電鍍填充具有微米級或次微米級通孔或盲孔的基材。 A copper electroplating process using a single organic additive was developed for filling through holes (THs) of printed circuit boards (PCBs). The organic additive acted as an inhibitor of copper deposition in the presence of chloride ions and organic acid. This copper electroplating formula resulted in center-up filling, which differs from the bottom-up filling exhibited by blind microvias. The inhibiting strength of the organic additive and the filling capability of the plating solution strongly depended on the concentration of organic acid. The electrochemical behavior of the organic additive was characterized by electrochemical analyses and imaging of TH cross sections.

備註

本部(收文號1070026132)同意該校107年4月18日興產字第1074300247號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

技術授權中心

連絡電話

04-22851811

網址