萃取化合物半導體場效電晶體寄生電感的新方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

091135253

專利證號

I234716

專利獲證名稱

萃取化合物半導體場效電晶體寄生電感的新方法

專利所屬機關 (申請機關)

逢甲大學

獲證日期

2005/06/21

技術說明

一種萃取化合物半導體場效電晶體寄生電感的新方法,係使用分散式電容傳輸線模型萃取化合 物半導體場效電晶體寄生電感的方法,其中該化合物半導體場效電晶體包括一閘極,一汲極,一 源極,一通道層與一基座,並藉由一特定數學解析處理程序以得到該化合物半導體場效電晶體 之閘極寄生電感加源極寄生電感,汲極寄生電感加源極寄生電感,源極寄生電感與虛部Z參數的 線性關係式,進而萃取出該化合物半導體場效電晶體之閘極寄生電感,汲極寄生電感與源極寄 生電感效應數值。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

技術授權中心

連絡電話

(04)24517250-6811

網址