具有單晶氧化鈧接面膜的磊晶用基板之製作方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

11/380,518

專利證號

7,235,467B2

專利獲證名稱

具有單晶氧化鈧接面膜的磊晶用基板之製作方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2007/06/26

技術說明

1.一種具有單晶絕緣體氧化鈧(Sc2O3)接面膜的磊晶用基板之製作方法。 2.此基版可用已在磊晶成長其他半導體層於矽基版上,作為轉接的界面膜層。

備註

本部(收文號1070053905)同意該校107年7月31日清智財字第1079004602號函申請申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

03-5715131-62219

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