積體電路後段銅內連線銅阻障層之製備方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

096127180

專利證號

I 346370

專利獲證名稱

積體電路後段銅內連線銅阻障層之製備方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立成功大學

獲證日期

2011/08/01

技術說明

本專利根據以上的觀念(在不增加厚度情況下，提高阻障層的阻障特性，更需要相容於現 在的半導體業界的標準製程)，以新的觀念－摻雜雜質至阻障層來提高阻障特性。

備註

本部(收文號1030091075)同意該校103年12月25日成大研總字第1034500872號函申請終止維護專利(成大)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

企業關係與技轉中心

連絡電話

06-2360524

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