發光二極體封裝結構及其製程

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

093115910

專利證號

I 243458

專利獲證名稱

發光二極體封裝結構及其製程

專利所屬機關 (申請機關)

國立中央大學

獲證日期

2005/11/11

技術說明

一種發光二極體封裝結構，其係由一發光二極體晶片、多個球底金屬層、一封裝基材、多個連 接墊、多個凸塊及資自生成介金屬化合物所構成。球底金屬層配置於發光二極體晶片上，且構 成球底金屬層之材料至少包括鎳。連接墊配置於封裝基材上。凸塊配置於球底金屬層與連接墊 間，以使球底金屬層與連接墊電性連接。藉由連接墊所提供之銅原子與凸塊的反應，自生成介 金屬化合物可自行生成於球底金屬層與凸塊之間。自生成介金屬化合物適於抑制此發光二極體 封裝結構中球底金屬層的剝離現象，進而維護晶片的光電特性。

備註

本部(收文號1050047992)同意該校105年7月7日中大研字第1051430192號函申請終止維護專利97件(中央)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智權技轉組

連絡電話

03-4227151轉27076

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