具有多元高熵合金氧化物的光電半導體、導體、絕緣體及其設計方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

098119189

專利證號

I 395336

專利獲證名稱

具有多元高熵合金氧化物的光電半導體、導體、絕緣體及其設計方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中興大學

獲證日期

2013/05/01

技術說明

本發明主要提供具有五元高熵合金的陶瓷材料的設計方法，及以此設計方法所成的具有五元高熵合金的陶瓷材料，是選定鋅、錫、銅、鈦，與鈮構成五元高熵合金，並在氧佔陶瓷材料的原子百分比是40at﹪~80at﹪，使五元高熵合金與氧結合成陶瓷材料，且同時調整氧的原子百分比分別在40at﹪~50at﹪、50at﹪~60at﹪與60at﹪~80at﹪，而使陶瓷材料分別成導體、光電半導體，及透明絕緣體，其中，鋅、錫、銅、鈦，與鈮佔陶瓷材料的原子百分比是2 at﹪~20at﹪，本發明提供多種適用於光電技術領域，特別是透明導電材料的具有五元高熵合金的陶瓷材料，有效促進光電技術發展。 This paper focuses on analyzing structural and optoelectronic properties of (ZnSnCuTiNb)1−xOx films. The results of XRD and HRTEM indicate that the (ZnSnCuTiNb)1−xOx films are all of amorphous without any multi-phase structure. XPS analysis confirms that the increase of the oxygen content makes the cations electron binding energy higher, suggesting the removal of valence electrons or the extent of oxidation can change the optoelectronic properties of the films. The (ZnSnCuTiNb)1−xOx films possess the characteristics of optoelectronic semiconductor whose oxygen content are 51.6 and 56 atom%. These films have carrier concentrations of 2.62×1020 and 1.37×1017 cm−3, and conductivities (?) of 57.2 and 9.45×10−3 (?cm)−1, and indirect band gaps of 1.69 and 2.26 eV, respectively. They are n-type oxide semiconductors.

備註

本部(收文號1070026132)同意該校107年4月18日興產字第1074300247號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

技術授權中心

連絡電話

04-22851811

網址