提升紫外光發光二極體發光強度之方法及裝置

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

106103988

專利證號

I 603649

專利獲證名稱

提升紫外光發光二極體發光強度之方法及裝置

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2017/10/21

技術說明

本團隊研究發現LED元件經過超臨界處理後發光效率與溫度成正相關，與傳統發光元件隨著溫度升高，發光強度變弱有明顯的差異。傳統缺陷多的LED元件會因為溫度高使得光強度變弱，而本團隊的超臨界處理可以有效填補缺陷，使得LED元件經過超臨界處理後，反而會隨溫度升高，發光強度變強，使發光元件有利於在不管在低溫或是高溫環境下操作。由於LED燈工作的範圍非常廣泛，本專利提出在高溫下進行LED元件的操作可進一步提升LED元件的發光效率的方式可以進一步增加LED燈的應用性。 An objective of the present invention is to provide a method and an apparatus for increasing the luminous intensity of an ultraviolet light emitting diode without changing current procedures for production of the ultraviolet light emitting diode. Another objective of the present invention is to provide a method and an apparatus for increasing the luminous intensity of an ultraviolet light emitting diode without modifying the structure of the ultraviolet light emitting diode. A method for increasing the luminous intensity of an ultraviolet light emitting diode according to the present invention includes heating an ultraviolet light emitting diode to a working temperature, and supplying electricity to the ultraviolet light emitting diode at the working temperature to make the ultraviolet light emitting diode emit ultraviolet light.

備註

本部(收文號1090044217)同意該校109年7月14日中產營字第1091400739號函申請終止維護專利(國立中山大學)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

連絡電話

(07)525-2000#2651

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