具有側旁隔離氧化層之矽覆絕緣單電晶體裝置及其製作方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

095133749

專利證號

I 377669

專利獲證名稱

具有側旁隔離氧化層之矽覆絕緣單電晶體裝置及其製作方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2012/11/21

技術說明

本發明係為一種矽覆絕緣(SOI)單電晶體 DRAM CELL裝置及其製作方法。該矽覆絕緣單電晶 體 DRAM CELL 裝置包括：一基板、一埋入氧化層、一側旁隔離氧化層、一具導電之半導體層、 一 閘極氧化層、一閘極層。該側旁隔離氧化層與該具導電之半導體層係同時形成於該基板上。 該 側旁隔離氧化層設置於該具導電之半導體層之兩側。該具導電之半導體層形成於該埋入氧化 層 上，該具導電之半導體層具有一本體、一源極部及一汲極部。本發明之矽覆絕緣裝置具有較 好 的電洞保持能力、能夠提高浮體效應效應(Floating Body Effect)及克服P-N接面的漏電 流， 且不需使用昂貴的矽覆絕緣基板，故成本可大幅地降低。 Silicon-on-Insulator one transistor device with block oxide and method for fabricating the same

備註

本部(收文號1040083830)同意該校104年11月20日中產營字第1041400247號函申請終止維護專利

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