二矽化鈷薄膜的製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

093134895

專利證號

I 311787

專利獲證名稱

二矽化鈷薄膜的製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立成功大學

獲證日期

2009/07/01

技術說明

先利用低溫擴散讓鈷通過薄氧化層與矽反應成核成二矽化鈷,並形成擴散 通道. 一旦擴散通道形成並且二矽化鈷,已成核, 再利用高溫加快擴散速 度, 此時因低溫時形成較多的成核位置及擴散通道形成後就算高溫加熱 也不再關閉, 於是形成較小的晶粒尺寸及均勻的晶粒尺寸分佈

備註

本部(收文號1050019163)同意該校105年3月18日成大研總字第1054500179號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

企業關係與技轉中心

連絡電話

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