接合材料及其製作方法與接合結構的製作方法Bonding material and method for fabricating the same, and method for fabricating bonding structure

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

105137692

專利證號

I 629728

專利獲證名稱

接合材料及其製作方法與接合結構的製作方法Bonding material and method for fabricating the same, and method for fabricating bonding structure

專利所屬機關 (申請機關)

國立成功大學

獲證日期

2018/07/11

技術說明

本發明為應用於固晶封裝製程中的一種Ag對Ag連結技術，可在低溫接合製程中在Ag薄膜生成一部份的非晶質Ag薄膜，利於Ag-Ag擴散，使接合製程在無壓力生成一具有高強度高導電性的Ag對Ag接點，且製程簡易。高溫固晶封裝技術是目前全球半導體大廠競相發展的技術，也是國內積體電路製造與封測產業維持競爭力的關鍵。國內的各半導體大廠如台積電、日月光、矽品、力成等近幾年皆積極架構，除此之外由於電動車產業的崛起，許多高功率元件的應用需求逐年提高，因此此低溫高強度的Ag對Ag直接接合技術可以因應未來趨勢的需求。 A bonding material and a method for fabricating the same, and a method for fabricating a bonding structure are described. The method for fabricating the bonding material comprises steps of: providing a silver layer; performing a heating step on the silver layer, so as to transform at least a surface portion of the silver layer into an amorphous silver thin film layer.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

企業關係與技轉中心

連絡電話

06-2360524

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