利用不同寬度多層量子井增加半導體光電元件之發光頻寬技術Semiconductor optoelectronic apparatus having plural quantum wells of different well widths

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

英國

專利申請案號

GB0205561.4

專利證號

GB2378318

專利獲證名稱

利用不同寬度多層量子井增加半導體光電元件之發光頻寬技術Semiconductor optoelectronic apparatus having plural quantum wells of different well widths

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣大學

獲證日期

2005/05/03

技術說明

利用不同寬度多層量子井增加半導體光電元件之發光頻寬技術

備註

本部(收文號1060029841)同意該校106年5月4日校研發字第1060033342號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作總中心

連絡電話

33669945

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