電子束曝光裝置、電子束產生裝置及曝光方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

099119891

專利證號

I 410757

專利獲證名稱

電子束曝光裝置、電子束產生裝置及曝光方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣大學

獲證日期

2013/10/01

技術說明

“電子束曝光裝置、電子束產生裝置及曝光方法”之發明有關於一種電子束產生裝置，主要包括有複數個電子束元件，其中各個電子束元件由複數個電子束產生單元所組成。各個電子束產生單元包括有一電子束源及一電子束光學系統，可用以產生電子束並改變電子束的偏折方向。本發明主要是透過半導體製程的方式製作電子束元件，不僅可以較低的成本大量製作電子束元件，同時亦可提高單位面積上之電子束產生單元的數量，有利於縮短電子束產生裝置對晶圓進行曝光所需要的時間。 The multi-electron-beam system can be implemented using a module concept, thus reducing the machine-building cost and yield while proving a high production rate.

備註

本部(收文號1100033534)同意該校110年6月9日校研發字第1100036312號函申請終止維護專利(台大)

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