太陽能電池的製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

102109307

專利證號

I 492409

專利獲證名稱

太陽能電池的製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立東華大學

獲證日期

2015/07/11

技術說明

本發明利用氧化石墨烯來作為太陽電池的鈍化層，可降低載子復合機率，提高太陽電池之效率。實施例提供一種太陽能電池的製造方法，所述太陽能電池的製造方法包括下列步驟。提供基板，而基板包括第一導電型半導體層以及第二導電型半導體層，其中第一導電型半導體層與第二導電型半導體層導電性相反。形成氧化石墨烯層於基板上，且氧化石墨烯層與第二導電型半導體層接觸。形成第一電極以及第二電極於基板上，而第一電極與第一導電型半導體層接觸，第二電極與該第二導電型半導體層接觸。 A manufacturing method of a solar cell includes the following steps, providing a silicon substrate, wherein the silicon substrate includes a first conductivity type semi-conductor layer and a second conductivity type semi-conductor layer. The conductivity type of the first conductivity type semi-conductor layer is opposite to the conductivity type of the second conductivity type semi-conductor layer. A graphene oxide layer is formed on the silicon substrate and the graphene oxide layer contacts with the second conductivity type semi-conductor layer. A first electrode and a second electrode are formed on the silicon substrate. The first electrode contacts with the first conductivity type semi-conductor layer, and the second electrode contacts with the second conductivity type semi-conductor layer.

備註

本部(發文號1080027162)同意該校108年5月2日東研字第1080008769號函申請終止維護專利。

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