半導化奈米微晶鑽石的製作方法及其製品METHOD FOR PREPARING A SEMICONDUCTOR ULTRANANOCRYSTALLINE DIAMOND FILM AND A SEMICONDUCTIOR ULTRANANOCRYSTALLINE DIAMOND FILM PREPARED THEEFROM

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

097132883

專利證號

I 376733

專利獲證名稱

半導化奈米微晶鑽石的製作方法及其製品METHOD FOR PREPARING A SEMICONDUCTOR ULTRANANOCRYSTALLINE DIAMOND FILM AND A SEMICONDUCTIOR ULTRANANOCRYSTALLINE DIAMOND FILM PREPARED THEEFROM

專利所屬機關 (申請機關)

淡江大學學校財團法人淡江大學

獲證日期

2012/11/11

技術說明

本發明半導化奈米微晶鑽石的製造方法及其製品，是一種半導化奈米微晶鑽石的製作方法，包含(a)準備一奈米微晶鑽石，(b)在室溫至攝氏400度下，用不小於1015count/cm2濃度的離子源對該奈米微晶鑽石進行離子佈植，(c)將該經離子佈植的奈米微晶鑽石，在氫氣及氬氣的氣氛下，於600~800℃的溫度持溫不小於1小時，進行退火，即可得到半導化的奈米微晶鑽石，另外本發明亦同時提供由該半導化奈米微晶鑽石的製作方法而得的半導化奈米微晶鑽石。另外本發明亦同時提供由該半導化奈米微晶鑽石的製作方法而得的半導化奈米微晶鑽石。 This invention is a method for producing the semiconducting ultrananocrystalline diamonds; including (a) preparation of a ultrananocrystalline diamonds, (b) ion implanting the UNCD with a dosage of 1015count/cm2, (c) heat treated the ion-implanted UNCD in Ar/H2 atmosphere at 600-800℃for more than 1 hour. The invention also includes the semiconductinized UNCD films thus prepared.

備註

本部(發文號1080004262)同意該校108年1月14日校研字第1080000447號函申請終止維護專利。

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

研究發展處

連絡電話

26215656分機2561

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