具有內部阻絕層之金屬氧化半導體裝置及其製作方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

093139867

專利證號

I241662

專利獲證名稱

具有內部阻絕層之金屬氧化半導體裝置及其製作方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2005/10/11

技術說明

具有內部阻絕層之金屬氧化半導體裝置及其製造方法

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

連絡電話

(07)525-2000#2651

網址