應用高介電材料於薄膜電晶體之閘極氧化層的製作方法及其結構

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

095116829

專利證號

I 299186

專利獲證名稱

應用高介電材料於薄膜電晶體之閘極氧化層的製作方法及其結構

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2008/07/21

技術說明

在本發明中，首先將p型 (100)方向之單晶矽晶圓進行清洗，隨後以低壓化學氣相沉積法 (Low Pressure Chemical Vapor Deposition-LPCVD)成長非晶矽(amorphous silicon (a-Si))薄 膜 150 奈米(nm)於單晶矽晶圓上當作基板。在a-Si基板上以有機金屬化學氣相沉積法(Metal- Organic Chemical Vapor Deposition-MOCVD)成長二氧化鈦(TiO2)薄膜，利用Ti(i-OC3H7)4 當 作鈦(Ti)的原料，笑氣(N2O)當作氧(O)的原料。其中Ti(i-OC3H7)4氣體流量為20 sccm，N2O 氣 體流量為300 sccm，生長壓力控制在5 torr，成長時間控制在10分鐘。調整成長溫度為400 oC、450 oC、500 oC和550 oC等溫度以觀察TiO2薄膜品質。兩種原料流入反應室後，進入高 溫 區進行反應並生長TiO2薄膜。此種方法可形成類似非晶之間的結構。所生長的TiO2薄膜再經 過 氮氣或氧氣的回火處理。一鋁(Al)薄膜濺鍍於p型單晶矽基板背面當做下電極，並經過回火 之 後，使金屬與半導體形成歐姆接觸。另以一鋁(Al)薄膜濺鍍於TiO2薄膜上當做上電極，其面 積 為7.07 × 10-4平方公分，並製作成金氧半(MOS) 之電容結構。

備註

本部(收文號1040021383)同意該校104年3月27日中產營字第1040001121號函申請終止維護專利

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