量子點紅外線偵測器QUANTUM DOT INFRARED PHOTODETECTOR

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

13/915,497

專利證號

US 9,520,514 B2

專利獲證名稱

量子點紅外線偵測器QUANTUM DOT INFRARED PHOTODETECTOR

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣大學

獲證日期

2016/12/13

技術說明

本發明主要是利用量子井夾在量子點結構當中來大幅提升紅外線偵測器的操作溫度。利用將高能量的載子散射為低能量的載子效應。增強量子吸收轉換能力,，將原本為50K-80K 左右的紅外線偵測器操作溫度提升至230K。不同於傳統的偵測器紅外線偵測器需要低溫(10-50K)的冷卻設備，或是所謂一般高溫操作的紅外線偵測器 (70-150K) 此發明不但改善了量子點紅外線偵測器的操作溫度，並且可以得到很高的偵測效率。在成長製造方面，製造程序也相對容易穩定，偵測器的組成結構亦簡單不複雜。不論是在軍事抑或是商用上，都有著極高的應用價值。 This invention adopts the quantum well structure inserted in the quantum dot stacks. This straightforward structure can scatter the hot energy carriers into the low energy ones, which can enhance the carrier absorption quantum efficiency. Using this structure enhance the operation temperature from 50-80K to 230K which is close the room temperature. The quantum well in the quantum dot stacks infrared photo detector has the advantages of high temperature operation and high detectivity which are prior to the traditional thermal photodetectors. The epitaxial process is also simpler than the quantum dot infrared photodetectors which are using the blocking barrier. It is much more potential for the commercial or military uses.

備註

本部(收文號1100033534)同意該校110年6月9日校研發字第1100036312號函申請終止維護專利(台大)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作總中心

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33669945

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