一種矽基鐵電型記憶體材料

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

095131965

專利證號

I 307162

專利獲證名稱

一種矽基鐵電型記憶體材料

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2009/03/01

技術說明

一種矽基鐵電型記憶體材料，其係由一奈米孔洞二氣化矽(mesoporous silica, MS)與一形成於該奈米孔洞二氣化矽中之 孔道中的奈米微晶(nanocrystal, NC)矽(或鍺)之量子點陣列所構成。本發明之矽基鐵電型記憶體材料除材料本身本質上 係由矽與氧元素所構成外,其製造流程簡便且可於低溫(<400度C)下製備,因此可完全相容於矽半導體工業,其不會有傳統 鐵電材料所具有之金屬污染與製程相容性的問題,又能具有鐵電記憶體材料高速、使用壽命長的優點,因此極適合於目前 半導體工業中製造鐵電型非揮發性記憶體。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

國研院技術移轉中心

連絡電話

02-66300686

網址