奈米級針狀二氧化鈰粉體及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

094146186

專利證號

I 308505

專利獲證名稱

奈米級針狀二氧化鈰粉體及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立成功大學

獲證日期

2009/04/11

技術說明

本發明係關於一種奈米級針狀二氧化鈰粉體及其製備方法。該二氧化鈰粉體係針狀結構，表面 以{100}及{110}晶面居多。經高溫鍛燒之針狀二氧化鈰觸媒活性高，為極佳之氧化觸媒。該針 狀二氧化鈰粉體係以兩階段非恆溫沈澱法製備之。所謂兩階段非恆溫沈澱法係將製程分為沈澱 及熟成兩階段，在高溫(50-95 oC)沈澱及低溫(0-30oC)熟成時，可獲得高活性之針狀二氧化鈰 奈米粉體，其催化活性遠較粒狀觸媒為高。

備註

本部(收文號1030091075)同意該校103年12月25日成大研總字第1034500872號函申請終止維護專利(成大)

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