發明
中華民國
094111399
I255553
矽覆部份絕緣場效電晶體及其製作方法
國立中山大學
2006/05/21
利用雙邊襯技術製作奈米矽覆部分絕緣場效電晶體
本案業經本校技術審查委員會同意中華民國專利領證及1~3年年費繳納
產學營運及推廣教育處
(07)525-2000#2651
版權所有 © 國家科學及技術委員會 National Science and Technology Council All Rights Reserved.
建議使用IE 11或以上版本瀏覽器,最佳瀏覽解析度為1024x768以上|政府網站資料開放宣告
主辦單位:國家科學及技術委員會 執行單位:台灣經濟研究院 網站維護:台灣經濟研究院