記憶體元件及其製作方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

097110676

專利證號

I 356488

專利獲證名稱

記憶體元件及其製作方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2012/01/11

技術說明

本發明係提供一種非揮發性記憶體及其製作方法，非揮發性記憶體，其包含有一基板、一下導電層設於該基板上、一電阻層設於該下導電層上以及一上導電層設於該電阻層上，其中下導電層由鉑(Pt)薄膜所構成，上導電層由鉑、銅、鈦、鉭、銣或鉬(Pt, Cu, Ti, Ta, Ru, and Mo)薄膜所構成，電阻層由鈦酸銅鈣(CCTO)薄膜所構成。 1.本發明首先利用凝膠法來成長電阻式非揮發性記憶體元件的電阻層，凝膠法具有易於添加的製程、低成本且易製作大面積薄膜等優點，另方面藉由適種適量添加物的使用來改善薄膜的特性進而提升元件之功能。2.鈦酸銅鈣(CaCu3Ti4O12 , CCTO)材料具有相關良好特性，得以作為電阻層。

備註

本部(收文號1080035227)同意該校108年6月4日交大研產學字第1081004865號函申請終止維護專利。

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連絡電話

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