鈉離子選擇電極的形成方法、鈉離子選擇電極與鈉離子感測裝置 | 專利查詢

鈉離子選擇電極的形成方法、鈉離子選擇電極與鈉離子感測裝置


專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

098104928

專利證號

I 393880

專利獲證名稱

鈉離子選擇電極的形成方法、鈉離子選擇電極與鈉離子感測裝置

專利所屬機關 (申請機關)

國立雲林科技大學

獲證日期

2013/04/21

技術說明

本發明提供一種鈉離子選擇電極的形成方法,包括:(a) 提供一導電基板;(b) 形成一導線其由該導電基板延伸而出,作為對外之電性接點;以及(c) 形成一鈉離子感測膜於該導電基板上 。

備註

本部(發文號1100061386)同意貴校110年10月6日雲科大研字第1100502212號函申請終止維護專利。(雲科大)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財管理組

連絡電話

(05)5342601轉2521


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