以氮化鈦作為緩衝層之ALGaInN氮化合物基板結構及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

094106596

專利證號

I264835

專利獲證名稱

以氮化鈦作為緩衝層之ALGaInN氮化合物基板結構及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

長庚大學

獲證日期

2006/10/21

技術說明

本發明係揭露一種以氮化鈜作為緩衝層之AlGaInN氮化合物基板結構及其製法，其 係將(111) 面之氮化鈦沈積於(111)面的矽基板上作為緩層，再於其上磊晶成長(0001)面之三 五族 AlGaInN 氮化合物元件磊晶結構。該方法，不僅可以形成高品質之三五族AlGaInN 氮化合物磊 晶層，製作垂直導通的三五族AlGaInN氮化合物元作，形成氮化鈦反射面以提光件 的效能、更 可避免於三五族AlGaInN磊晶過程中矽基板形成非晶質之氮化矽(SiNX)，提高磊晶 片之良率。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

技術移轉中心

連絡電話

03-2118800轉3201

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