二氧化錫延伸式閘極離子感測電晶體之製造方法以及相關之檢測電路與讀出電路

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

US 7067343B2

專利證號

US 7067343B2

專利獲證名稱

二氧化錫延伸式閘極離子感測電晶體之製造方法以及相關之檢測電路與讀出電路

專利所屬機關 (申請機關)

國立雲林科技大學

獲證日期

2006/06/27

技術說明

本發明專利揭露一種以二氧化錫做為離子感測場效電晶體之延伸式閘極的製造方法，其係以溶 膠凝膠技術固定二氧化錫 感測膜於基板上取代延伸式閘極，二氧化錫感測膜以一導線連接至離子感測場效電晶體之表面 絕緣層，再將導線連接至 一金屬氧化物半導體電晶體之閘極端。 Methods for fabricating ion sensitive field effect transistors (ISFETs) with SnO, extended gates. A SnO, detection film is formed on a substrate by sol-gel technology to serve as an extended gate. The SnO, detection film is electrically connected to a conductive wire, and an insulating layer is formed on the surface of the ISFET but part of the SnO, detection film and the conductive wire are left exposed. The exposed conductive wire is electrically connected to a gate terminal of a MOS transistor.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財管理組

連絡電話

(05)5342601轉2521

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