多孔隙超低介電質材料即時損害偵測方法與量測器

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

096101606

專利證號

I 404152

專利獲證名稱

多孔隙超低介電質材料即時損害偵測方法與量測器

專利所屬機關 (申請機關)

國立成功大學

獲證日期

2013/08/01

技術說明

在積體電路製造中，隨著元件尺寸不斷的縮小，後段金屬內連線之電阻-電容遲滯效應(R-C delay)也日益嚴重，在90奈米之後的 後段製程，已經到了不得不引進多孔隙超低介電質材料(Porous Low-k material)來降低電容與遲滯效應。後段製程中有許多對多 孔隙超低介電質材料造成損壞的製程步驟，例如:在蝕刻(Etch)、光阻灰化(Ash)、原子層級(ALD)方式沈積銅擴散阻障層(Copper Diffusion Barrier)或是沈積銅線上方之介電質保護層(Cap)時，其反應氣體或先驅物(Precursor)都可能會滲透進多孔隙超低介 電質材料，造成超低介電材料損壞(Damage)，使得介電質材料之介電係數升高，進而又造成延遲效應。本專利的損害偵測器主要 是可以預測在製程步驟中，偵測哪些製程氣體或先驅物會對超低介電質造成損害(Damage)，因此可以妥善選擇製程氣體或是先驅 物。

備註

本部(收文號1080023237)同意該校108年4月10日成大研總字第1081102863號函申請終止維護

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