電極薄膜及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

106107394

專利證號

I 610882

專利獲證名稱

電極薄膜及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2018/01/11

技術說明

本專利僅簡易調控滾印速度、滾棒與基材間隙及滾印溫度，形成成束方向性排列銀奈米線電極，即可解決多項問題(導電性、透光度、彎折性、基材附著性、抗環境破壞、電流負載耐受度等)。本發明專利對於可撓性高透光高導電薄膜相關產業有極大幫助，包含太陽能電池、顯示面板、智慧感測及穿戴式感測等，也可運用至生醫電子方面。本發明之高撓性透明導電電極薄膜可取代昂貴且易脆之ITO材料製作之透明電極。透明導電電極薄膜市場預估至2026年可達USD 8.46 Billion。 [0002] The present disclosure relates to an electrode thin film and a method for manufacturing the same. More particularly, the present disclosure relates to an electrode thin film having a metal nanowires network with aligned and bundled metal nanowires and a method for manufacturing the same.

備註

本會(收文號1110060946)同意該校111年9月29日清智財字第1119007219號函申請終止維護專利(國立清華大學)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

03-5715131-62219

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