利用四氟化碳電漿預處理改善高介電材料特性之製程

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

091134760

專利證號

I 194264

專利獲證名稱

利用四氟化碳電漿預處理改善高介電材料特性之製程

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2004/01/01

技術說明

本發明係揭露一種利用四氟化碳電漿預處理改善高介電材料特性之製程，其係在標準的互補 式金氧半電晶體配合高介電係數材料的製程中，先利用電漿輔助化學氣象沈積(PECVD)產生 的四氟化碳電漿對一矽基材進行預處理，使矽基材表面飽含氟原子，再於矽基材上方沈積一 高介電係數介電材料，並進行氧氣的高溫退火，此時飽含氟原子的矽基材便不會與介電材料 產生反應而形成矽化物，故可改善其介電特性。藉由此種方式形成的高介電係數介電材料係 具有低漏電、高崩潰電壓及可靠度佳之優點。

備註

本部(收文號1040087827)同意該校104年12月10日交大研產學字第1041013203號函申請終止維護專利 (多填I係為了系統儲存規則)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智慧財產權中心

連絡電話

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