假閘極全環繞矽覆絕緣裝置及其製作方法SOI DEVICE WITH PSEUDO GATE-ALL-AROUND AND THE METHOD FOR MAKING THE SAME

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

096140477

專利證號

I 355691

專利獲證名稱

假閘極全環繞矽覆絕緣裝置及其製作方法SOI DEVICE WITH PSEUDO GATE-ALL-AROUND AND THE METHOD FOR MAKING THE SAME

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2012/01/01

技術說明

假閘極全環繞矽覆絕緣裝置及其製作方法 SOI device with pseudo gate-all-around and the method for making the same

備註

本部(收文號1040002157)同意該校104年1月5日1040000012號函申請終止維護專利(中山)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

連絡電話

(07)525-2000#2651

網址