矽晶圓之切割和加工方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

095121048

專利證號

I 300960

專利獲證名稱

矽晶圓之切割和加工方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立成功大學

獲證日期

2008/09/11

技術說明

CO2雷射不被矽吸收，一般不可對矽做任何加工切割，但本發明為CO2雷射切割矽晶圓和特殊形狀加工方法，主要利用方法改 變，可使低功率CO2雷射切割矽晶圓和做特殊形狀加工，此實驗方法裝置包括：一CO2雷射源和承載試片之機構、玻璃或塗覆金 屬膜的基材、及矽晶圓試片各一。實驗方法首先將矽晶圓試片放置於玻璃或塗覆金屬膜的基材試片上方將兩試片密切貼合，利 用夾置具加以固定，隨後將雷射光源聚焦至矽晶圓試片另一表面或內部以進行矽晶圓加工與切割之實驗。本實驗一實施例參數 為功率30W、速度5.715 mm/sec、來回切割20次，可把四吋之矽晶圓順利切斷。另外，本CO2雷射可對矽晶圓切割不規則之形狀 或鑽孔，使此不規則形狀之加工較具彈性。此方法不但具有良好之加工速率且雷射源之功率也可在低於30W達成，相對於儀器成 本上也大大的降低，若使用高功率之雷射機構，則加工速度及效果可再提升，但會造成成本增加。另外，此製程屬非接觸式加 工，不需對硬脆材料施加大刻劃與斷裂壓力，操作安全而快速，是一個低成本、快速、簡單且高品質的加工方式。

備註

本部(收文號1030091075)同意該校103年12月25日成大研總字第1034500872號函申請終止維護專利(成大)

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