金氧半導體奈米線及製作方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

097143497

專利證號

I 402895

專利獲證名稱

金氧半導體奈米線及製作方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2013/07/21

技術說明

本發明提供一種全新的一維結構金氧半導體奈米線，包含一核線、一圍繞層，及一包覆層，該核線由貴重金屬材料所構成，例如金或銀，且沿一軸向延伸，該圍繞層由單晶結構金屬氧化物所構成，例如三氧化二鎵（Ga2O3）、二氧化錫（SnO2），或三氧化二銦（In2O3），並環圍核線，該包覆層由一單晶結構的半導體材料所構成，例如氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAs)、或磷化鎵(GaP)，且包覆該圍繞層；另外，本發明亦同時提供該金氧半導體奈米線的製作方法。

備註

本部(收文號1060012320)同意該校106年2月20日清智財字第1069001047號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

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